顺达公司拟在本省某开发区内建设一座电子元器件厂。该省级开发区有集中的污水处理厂和供热系统，其他环保基础设施也较完善，目前开发区污水处理厂的设计处理能力为10万m3/d，实际处理能力为6.5万m3/d。污水处理厂接管水质要求为COD350mg/L、NH3-N25mg/L、TP6mg/L，其他水质标准应当满足《污水综合排放标准》（GB8978-1996）表1及表4三级排放标准（氟化物20mg/L、总铜2.0mg/L、总砷0.5mg/L）。电子元器件生产以硅片为基材，经氨水清洗、氢氟酸或硫酸蚀刻砷化氢掺杂、硫酸铜化学镀等工序得到最终产品。其中掺杂工序和化学镀工序流程如图1所示。经过工程分析可知，拟建项目在生产过程中产生的清洗废水、蚀刻废水、尾气洗涤塔废水、化学镀废水将经过预处理后进入中和池，中和池出水排入开发区污水处理厂，废水预处理后的情况参见表1。氨水清洗工序产生的清洗废水中含氨量为0.02%，为降低废水中氨的浓度，拟采取热交换吹脱法除氨，氨的吹脱效率80%，吹脱出的氨经15m高排气筒排放。《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）中规定：15m高排气筒氨排放量限值为4.9kg/h。列出掺杂工序和化学镀废水预处理生产的污泥处置要求。
PCB中，化学镀Ni/浸Au的焊接性能是由镍镀层实现的，金层只是保护镍的可焊性。
A、对
B、错
经过电镀或化学镀的方式形成于基体表面的金属性薄层统称为（）。
A、镀层
B、膜层
C、氧化层
D、保护层
下列化学镀膜法获得膜层的错误方法（)。
A.酸蚀法镀增透膜
B.还原法镀反射膜
C.浸润法镀色彩膜
D.硅酸乙酯镀增透膜