题目

热继电器中双金属片的弯曲作用是由于热膨胀系数不同产生的。

此题为判断题(对,错)。

相关标签: 热膨胀   金属片   继电器  

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金属-烤瓷修复体,烤瓷的热膨胀系数比金属的热膨胀系数(  )。

A、两者应完全一致

B、前者稍大于后者

C、前者稍小于后者

D、前者明显大于后者

E、前者明显小于后者

烤瓷合金的热膨胀系数(金a)与烤瓷粉的热膨胀系数(瓷a)的关系是A.金α瓷αD.A、B

烤瓷合金的热膨胀系数(金a)与烤瓷粉的热膨胀系数(瓷a)的关系是

A.金α<瓷α

B.金α=瓷α

C.金α>瓷α

D.A、B对

E.B、C对

关于PFM冠金瓷结合机制不正确的是
A.化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分B.金属-瓷材料的热膨胀系数要严格匹配,金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合C.基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利D.金瓷结合界面间存在分子间力E.贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

关于PFM冠金瓷结合机制错误的是(  )。

A、化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分

B、金属瓷材料的热膨胀系数要严格匹配,金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合

C、基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利

D、金瓷结合界面间存在分子间力

E、贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

关于PFM冠金瓷结合机制不正确的是()

A、化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分

B、金属一瓷材料的热膨胀系数要严格匹配,金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合

C、基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利

D、金瓷结合界面间存在分子间力

E、贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

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