关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。
A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥
C、集力敏与力电转换检测于一体
D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。
A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成
B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥
C、集力敏与力电转换检测于一体
D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用单晶硅片为弹性元件