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砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

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砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有()外延、液相外延和()外延

下列关于集成电路的叙述中错误的是()

A、集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上

B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓

C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路

D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路

硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。

目前,集成电路晶体管普遍采用硅材料制造,当硅材料尺寸小于10纳米时,用它制造出的晶体管稳定性变差。而2010年获得诺贝尔物理学奖的______即使被切成1纳米宽的元件,导电性也很好。因此,它被普遍认为会最终替代硅,从而引发电子工业革命。

A.热敏材料

B.砷化镓材料

C.光敏材料

D.石墨烯材料

下面关于集成电路(IC)的叙述中正确的是()。

A.集成电路是20世纪60年代出现的

B.按用途可分为通用和专用两大类,微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路

C.现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅

D.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系

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