大连理工大学电气工程及其自动化专业《模拟电子技术》作业及答案1
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V，则6V所对应的电极为()。
A.发射极
B.集电极
C.基极
D.无法确定
本题答案：
B
B
关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
本题答案：
C
C
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为()。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
本题答案：
B
B
在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
本题答案：
B
B
引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
本题答案：
C
C
在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
本题答案：
A
A
在共集电极放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输入输出电压相位()。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
本题答案：
A
A
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生()。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.线性失真
本题答案：
A
A
晶体管能够放大的外部条件是()。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
本题答案：
A
A
对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
本题答案：
C
C
射极输出器无放大功率的能力。()
A.正确
B.错误
本题答案：
B
B
温度升高，晶体管输入特性曲线右移。()
A.正确
B.错误
本题答案：
B
B
二极管是非线性器件。()
A.正确
B.错误
本题答案：
A
A
对于电压放大器来说，输出电阻越小，电路的带负载能力越强。()
A.正确
B.错误
本题答案：
A
A
共射放大电路中信号从射极输入，由集电极输出。()
A.正确
B.错误
本题答案：
B
B