场效应管参与导电的载流子是()。
A、电子
B、空穴
C、多数载流子
D、少数载流子
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()
A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散
B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移
C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散
D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移
MOSFET的温度特性体现为:()。
A、温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高
B、温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降
C、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高
D、温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。
A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加
B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少
C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加
D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()
A、越高
B、不确定
C、越低
D、不变
PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。
在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。
A、正离子数
B、负离子数
C、质子
D、原子
下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子
简述光生伏特效应中正确的是()
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
C、平衡载流子破坏原来的热平衡;
D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。