题目

半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。

A、结晶形二氧化硅

B、无定形二氧化硅

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二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度

A、②④

B、①③

C、①④

D、②③

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下列可以引起矽肺的粉尘是()

A、含结合型二氧化硅粉尘

B、含游离二氧化硅粉尘

C、石棉尘

D、煤矽尘

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[填空题]几乎所有天然水中均含有二氧化硅，由于易形成难以去除的（），一些工业用水质量标准中对二氧化硅的含量做了限制性规定。
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硅肺病（矽肺病）是由于吸入（）较高的岩尘而引发的尘肺病。
  • A游离二氧化硅
  • B煤尘和含游离二氧化硅
  • C煤尘
  • D粉尘
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热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。

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男性,72岁。有高血压病10年,长期服用降压药物,平日血压控制在130-145/70-80mmHg。日常活动正常。2月来无诱因出现发作性心悸,持续3-8小时右可自行缓解。3小时前症状再次发作,心电图提示心房颤动。目前该患者最容易出现的并发症是:

A．心力衰竭B．肺栓塞C．脑栓塞D．猝死
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慢性咳嗽的一线检查有哪些()

A.肺通气功能检查B.支气管激发试验C.诱导痰细胞学检查D.24h食管PH值-多通道阻抗监测E.支气管舒张试验
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支气管哮喘病人急性发作时氧分压大于45毫米汞柱
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关于心源性水肿下列说法错误的是（）。

A.心源性水肿主要是右心衰竭的表现

B.水肿特点是首先出现于身体下垂部位（下垂部流体静水压较高）

C.能起床活动者，最早出现于踝内侧，行走活动后明显，休息后减轻或消失

D.经常卧床者以眼睑部为明显
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表浅淋巴结肿大,下列检查结果中,提示为淋巴结炎的是()
A.
有压痛、不光滑
B.
有破溃、质地硬
C.
质地硬、无压痛
D.
有压痛、无粘连
E.
有粘连、无压痛
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