等离子增强反应沉积中,由于等离子体中()、()和()相互碰撞,可以大大降低沉积温度,例如硅烷和氨气的反应在通常条件下,约在850℃左右反应并沉积氮化硅,但在等离子体增强反应的条件下,只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
等离子弧焊设备当电源空载电压为60~85V时,采用的等离子气为( )。
A氧气
B氢气
C氮气
D氩气
氮化硅(Si3N4)是一种新型陶瓷材料,它可通过以下反应制得:3SiO2+ 6C + 2N2 Si3N4+6CO,有关说法不正确的是 ()
A.该反应的平衡常数表达式为
B.若增大压强,则上述平衡向逆反应方向移动
C.该反应中只有N2是氧化剂
D.该反应在高温下反应,△H一定大于零