等离子增强反应沉积中，由于等离子体中（）、（）和（）相互碰撞，可以大大降低沉积温度，例如硅烷和氨气的反应在通常条件下，约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，只需在350℃左右就可以生成氮化硅。
等离子弧焊设备当电源空载电压为60～85V时，采用的等离子气为( )。
A氧气
B氢气
C氮气
D氩气
氮化硅（Si3N4）是一种新型陶瓷材料，它可通过以下反应制得：3SiO2＋ 6C ＋ 2N2
Si3N4＋6CO，有关说法不正确的是 （）
A．该反应的平衡常数表达式为
B．若增大压强，则上述平衡向逆反应方向移动
C．该反应中只有N2是氧化剂
D．该反应在高温下反应，△H一定大于零