电子点火装置的分类：电感放电式有触点晶体管点火系;电感放电式无触点晶体管点火系;()有触点晶体管点火系;电容放电式无触点晶体管点火系。
A.电容放电式
B.电感放电式
C.电池放电式
D.电极放电式
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
电子点火装置其中按信号发生器工作原理的不同可分为()晶体管点火装置，()晶体管点火装置，()晶体管点火装置和()无触点晶体管点火装置。
跟DRAM相比，SRAM的特点是（）
A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高
B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高
C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高
D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）
A、结型场效应晶体管，简称JFET
B、绝缘栅型场效应晶体管，简称JFET
C、结型场效应晶体管JGFET
D、绝缘栅型场效应晶体管JGFET